采购项目 | 需求概况 | 预算金额/万元 | 采购时间 |
含分布式存储的AI算力服务器集群 | 北京大学国家人工智能产教融合创新平台建设,采购用于科研攻关的AI算力服务器集群,含交换机、并行存储设备、安全设备、智算平台等配套设备。 | 2100 | 2024年11月 |
AI服务器集群 | 为建设北京大学人工智能产教融合创新平台,采购AI训练集群,总算力FP16(非稀疏)不小于28PFLOPS;为满足高速互联,需要200IB网络;为满足全校科研需要,需提供可信程序管理机制和模块功能;为适应国家碳达峰要求,需要建设绿色、低碳、节能的集群。 | 3100 | 2024年11月 |
光笼系统 | 国家人工智能产教融合创新平台项目,主要用于物理空间仿真的三维运动精准测量,该设备具备自支撑测地圆顶结构、直径>=2.3m,能够智能摄影,测量闪光、可变闪光持续时间:60μS 至 30mS、包含交叉偏振(垂直、水平和非偏振),相机系统、软件系统、工作站及其他配件,实现人脸光场空间维度、时间维度、物理维度采集与分析。 | 300 | 2024年11月 |
半自动高低温电学测试系统 | 用于集成电路(ICs)、半导体材料器件(MOS/FET)、微电子机械系统(MEMS)、太阳能光电等的功能描述、测试与分析。可用于电压电流量测、脉冲量测、电容性量测、建模特性、失效分析、光电分析等电性分析。 | 520 | 2024年11月 |
超高效液相色谱仪、气相色谱质谱联用仪、质谱仪 | 用于分析油气类样品,分离复杂的液态有机物和化学物质,适合分析高分子量和极性化合物,检测气态和挥发性有机物,尤其是复杂的低分子量组分。 | 146 | 2024年11月 |
物理气相沉积系统 | 设备主要用于氧化钒和氧化物半导体的磁控溅射镀膜,用于制备非制冷红外传感器、热耦合晶体管、铁电场效应晶体管等半导体器件。需要设备有两个溅射腔体,用于氧化钒镀膜的腔体可进行不小于8寸硅片的溅射镀膜,用于氧化物半导体镀膜的腔体可进行不小于6寸硅片的溅射镀膜,每个腔体不少于两个靶和两套射频电源,同时配有快速进样腔,设备本底真空不大于5e-5Pa,镀膜均匀性好于5%。 | 200 | 2024年11月 |
半自动高低温电学测试系统 | 用于集成电路(ICs)、半导体材料器件(MOS/FET)、微电子机械系统(MEMS)、太阳能光电等的功能描述、测试与分析。可用于电压电流量测、脉冲量测、电容性量测、建模特性、失效分析、光电分析等电性分析。 | 520 | 2024年10月 |
超高效液相色谱仪、气相色谱质谱联用仪、质谱仪 | 用于分析油气类样品,分离复杂的液态有机物和化学物质,适合分析高分子量和极性化合物,检测气态和挥发性有机物,尤其是复杂的低分子量组分。 | 146 | 2024年10月 |
扫描电子显微镜+图像发生器 | 本设备主要用于对各类样品表面进行高分辨形貌表征、成分分析、各种微纳器件与纳米人工结构的制作、直写高精度的光刻模板等,支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 300 | 2024年11月 |
原子力显微镜 | 本设备主要用于晶圆的微观结构研究和质量控制,提供晶圆缺陷检测,开展前沿的半导体材料研究等检测手段,支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 115 | 2024年11月 |
硅低压外延 | 本设备是在较低压力下进行的化学气相外延,制备高质量和均匀性的薄膜材料,支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 950 | 2024年11月 |
场发射电镜电子束曝光系统 | 该系统主要用于通过电子束直写曝光,在样品表面制备微纳米结构,用于量子器件的制备和研发,同时,可以实现微纳结构的高分辨成像表征,支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 290 | 2024年11月 |
磁控溅射 | 磁控溅射是物理气相沉积的一种,能稳定、可靠、低成本的制备ITO、TiN材料,可支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 950 | 2024年11月 |
电感耦合等离子体化学气相沉积系统 | 本设备主要用于建立校级微纳工艺平台晶圆表面低温介质的沉积,提供SiO2, SiN等薄膜和非晶硅制备工艺,支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 320 | 2024年11月 |
电子束蒸发 | 电子束蒸发系统是在高真空洁净环境下,制备金属薄膜电极材料的必备设备,为器件芯片研制和工艺研发提供必要的技术支撑。 | 600 | 2024年11月 |
化学机械抛光 | 本设备是通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,是半导体晶片表面加工的关键技术之一,用来支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 1000 | 2024年11月 |
原子层沉积 | 本设备是通过控制沉积周期的次数进而实现薄膜厚度的精确控制,支撑器件芯片研制和工艺研发。 | 1750 | 2024年11月 |
超高效液相-四极杆质谱联用仪 | 超高效液相-四极杆质谱联用仪1套。主要功能:用于小分子定性和定量检测实验。主要技术指标:1、二元溶剂管理器,流速范围:0.001-2mL/min,以0.001mL/min为增量;最大操作压力:≥15,000psi。2、柱管理器,温度范围:室温以上4℃-90℃,增量:0.1℃;柱容量:≥2个。3、质谱质量范围: 2~3072 m/z。4、正负极切换时间≤15 ms。5、离子源传输部分采用锥孔设计,防止热裂解、冷凝而导至的样品分解和堵塞,维护简单,无需卸真空。6、待机过程时,不消耗氮气。 | 300 | 2024年10月 |
多肽自动合成仪 | 多肽自动合成仪1套。主要功能:可实现多肽的半自动或全自动固相合成。主要技术指标:1、带有20种常见氨基酸,不少于4种非常见氨基酸,用于酰胺缩合反应的催化剂和碱的独立储存和独立管路,避免交叉污染。2、可实现精准液体量取工作,准确度不低于100μl,可自定义移液体积,移液体积CV≤2%。3、UV检测系统:每个合成通道附带独立UV检测单元,用于检测保护基脱除反应的效率。4、温度控制单元:每个合成通道附带独立的主动加热功能,温度范围:室温至90℃,由控制软件控制。5、每个合成通道应有过滤功能实现高效率固液相分离,仪器所有管路应耐受常用固相多肽合成溶剂如DMF,DCM等的腐蚀。6、可选择多肽合成量,在0.05-0.5mmol或更大范围。7、可以通过控制软件控制整个合成过程中各步骤所使用的时间,温度。8、反应效率应保证每个氨基酸所需整个循环时间可以控制在40-60分钟。9、反应产率要求,对于8肽要求在99%,对于50肽要求在60%以上。 | 210 | 2024年10月 |
孔隙度分析及气体吸附与脱附在线分析系统 | 孔隙度分析及气体吸附与脱附在线分析系统主要用于材料在极端环境下(高温、超低温、高压)、以及特殊气体(易燃气体、腐蚀性气体)的吸脱附研究,多组分吸附质的竞争性吸附及多组分气体的膜分离测试。考虑到分析测试中心用户涉及领域广泛,选择购置超低温控温装置,与吸附仪器联用可以满足材料在超低温条件下吸脱附测试需求。 | 315 | 2024年11月 |
移动仿生机器人平台 | 北京大学国家人工智能产教融合创新平台项目采购的该平台,设计用于需要高移动性和负载处理能力的任务。其最大负载为100公斤,最大速度为1.1米/秒,能够跨越18厘米的障碍物。双臂机器人每只手臂可负载5千克,具有6个自由度,适合在多变的环境中执行精确操作。模拟人手的灵活性,具有24个自由度和20个驱动器,适用于需要精细操作和微妙处理的任务。手部尺寸约为90x250毫米,适合高级机器人研究和实验。 | 420 | 2024年11月 |
场发射透射电镜 | 场发射透射电子显微镜主要用于材料的原子级高分辨形貌观察和原子级成分分析,系统由电子光学系统(含STEM球差校正器)、高压系统、真空系统、EDS、数字化成像系统等部分组成。 | 1164 | 2024年11月 |
多谱线超分辨激光共聚焦显微镜 | 拟招标设备主要用于对各类样品进行多色、三维(3D)成像与分析,适用于生物、材料、化学等领域样品,如实现对细胞内部复杂结构的可视化研究等。考虑到分析测试中心用户涉及领域广泛,希望激光的谱线更多,能够做更多颜色的标记,能够实现荧光寿命的测量及分析功能。 | 450 | 2024年11月 |
单晶X射线衍射仪 | 单晶X射线衍射仪主要用于小分子和蛋白质晶体结构研究。考虑到分析测试中心用户涉及领域广泛,选择购置Cu、Mo双靶光源或液态金属靶光源,可以兼顾生物大分子、有机小分子以及无机配合物的测试需求。同时,转靶微焦斑光源或液态金属靶光源强度高,数据收集效率快,适用于小尺寸晶体数据的收集。 | 1050 | 2024年11月 |
基质辅助激光解吸飞行时间质谱仪 | 该设备整合组学、成像、LC联用以及聚合物分析等功能,将为化学、生命等领域的大分子检测与研究及相关人才培养提供有效支撑,同时有利于丰富校级平台的检测能力。 | 290 | 2024年11月 |
圆偏振荧光光谱仪 | 圆偏振荧光光谱仪用于金属发光配合物、有机发光材料的合成和其光致发光(PL)、有机电致发光(EL)性能的相关研究工作;涉及配位化学、有机合成化学、材料化学、晶体化学等众多相关学科研究领域。目前,大多数研究都仅限于在对材料的基态下的光活性吸收光谱的研究,而该仪器研究具有光学活性的物质在激发态下的光学活性,尤其是具有荧光性能的手性材料。 | 250 | 2024年11月 |
高性能动作捕捉系统 | 拟招标用于单人、多人动作采集,以及人形机器人、机器狗、无人机等机器人的位置、姿态等运动学信息实时获取的高性能动作捕捉系统。系统需包括不少于24台高性能红外摄像机、动作捕捉软件系统、专用套装、工作站及其他配件,并包括场地安装服务。 | 300 | 2024年11月 |
晶圆键合机 | 三维集成芯片、晶圆背面连接、晶体管级三维集成等技术越来越受到重视并被各主流芯片厂和科研机构广泛研发和应用。在这之中,晶圆键合工艺是其中的核心工艺,晶圆键合工艺的质量决定了三维集成技术的可实现性和发展潜力,被认为是研究下一代先进工艺技术必不可少的关键技术之一。而面向先进节点工艺研发,尤其是晶圆背面链接和晶体管三维集成等技术,对晶圆键合的质量要求极高,需要实现高精度的温度压力控制,需要极好的机械控制能力,因此需要顶尖水平的晶圆键合设备。 | 460 | 2024年11月 |