su8 光刻胶使用方法及注意事项

微流控芯片

su8 光刻胶使用方法

基底准备

在使用SU-8光刻胶之前，基板应保持清洁和干燥.

清洁基板的方法包括使用硫酸和过氧化氢的混合液（piranha etch）进行湿法清洗，随后用去离子水冲洗.

可选地，也可使用反应离子蚀刻（RIE）或其他含氧的桶式装置进行清洗.

对于某些应用（例如电镀），推荐使用MCC Primer 80/20 (HMDS) 对基体进行预处理.

涂胶

根据基板尺寸，分配适量的光刻胶（例如，对于每英寸的基板直径分配1ml的抗蚀剂）.

使用旋涂机以一定的速度和加速度进行涂布，例如：先以500 rpm旋转5-10秒，然后以2000 rpm旋转30秒.

软烘烤

推荐使用具有良好热控制和均匀性的水平热板进行软烘烤.

避免使用对流烤箱，以防抗蚀剂表层形成.

曝光

使用长通滤波器来消除350nm以下的紫外线辐射.

进行接触矩阵实验，以确定最佳曝光剂量.

显影

SU-82000光刻胶与MicroChem公司的SU-8显影剂配合使用.

显影过程中，推荐使用强烈搅拌3.

显影后，用新鲜溶液冲洗约10秒，然后用异丙醇(IPA)再喷/洗10秒.

硬烘烤（可选）

对于将成像电阻作为设备一部分保留的应用，可以添加硬烘烤步骤.

烘烤温度建议比设备最大运行温度高10°C，通常在150°C到250°C之间.

注意事项

温度控制

确保光刻胶的涂布温度与室温相同，通常为23°C.

湿度控制

控制涂胶时的湿度，防止光刻胶脱落或降低良品率.

涂胶后产品放置时间

涂完光刻胶的产品保留时间不应超过8小时.

前烘温度和时间

控制前烘的温度和时间，以促使胶膜内溶剂充分挥发.

显影条件

显影时必须控制好显影液的温度、浓度及显影的时间.

以上步骤和注意事项可以帮助您更好地使用SU-8光刻胶，以获得高质量的光刻效果。

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