光刻胶SU-8涂胶工艺解析

微流控芯片

涂胶和显影是光刻前后的重要步骤，设备以不同工艺所用的光刻胶、关键尺寸等方面的差异来分类。

光刻涂胶工艺

无论在晶圆制造前道工艺还是封装测试后道工艺，都需要涂胶显影设备。半导体设备按半导体加工过程主要分为前道工艺（Front-End，即晶圆制造）设备和后道工艺（Back-End，即封装测试）设备两大类。涂胶/显影机在前道工艺中是光刻工艺重要环节的设备，在后道工艺中主要应用封装技术的涂胶、显影等工序。后道先进封装使用晶体管的前道制造方式，制作后道连接电路，故先进封装的工艺流程与前道相似，所需设备类别也大体相同，只在关键尺寸与精度上同前道有区别，使用圆片级封装时，涂胶显影设备所需尺寸与前道相同，主要为8/12寸涂胶显影设备。

涂胶和显影是光刻前后的重要步骤，设备以不同工艺所用的光刻胶、关键尺寸等方面的差异来分类。

光刻胶是半导体，面板，PCB等领域加工制造中的关键材料。光刻胶是由树脂，感光剂，溶剂，光引发剂等组成的混合液态感光材料。光刻胶应用的原理是利用光化学反应，经光刻工艺将所需要的微细图形转移到加工衬底上，来达到在晶圆上刻蚀出所需的图形或抗离子注入的目的。

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